재료의 조성 측정(measurement)방법(XRD, TGA, DTA, FTIR, AES, EDS, XRF, ICP-MS, A…
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작성일 20-02-07 03:12
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4)Filter
3) 계수기록장치(Electronic Circuit Panel)
(3) 광전자 스펙트럼 (Photoelectron spectrum)
(2) EDS를 이용한 정성분(成分)석
(2) 구성장치
재료의 조성 측정(measurement)방법(XRD, TGA, DTA, FTIR, AES, EDS, XRF, ICP-MS, AAS, XPS)
(4) 시차온도곡선의 이해
3. analysis(분석) 에 이용하는 X-ray는?
(1) 장치 구성
(3) XRF의 종류
5. AES(Auger Electron Spectroscopy)
4. 전형적인 TG-curve
(2) 전자저울 종류
(2) AES/SAM의 구조
(1)X-ray 기본원리
(1) 기본원리
조성측정방법 , XRD , TGA , DTA , FTIR , AES , EDS , XRF , ICP-MS , AAS
여러가지 측정(measurement) 방법에 대한 원리, 실험방법, 적용범위
8. ICP-MS (Inductively Coupled Plasma)
(4) 적용범위
(3) AESanalysis(분석) 의 종류
재료의 조성 측정(測定) 방법
(2) XRF의 이용
6. EDS(Energy Dispersive X-ray Spectroscopy)
2. X선에 의한 동정법의 한계
(4) analysis(분석) 방법
4. 응용예
(2) AAS의 구성
(3) EDS를 이용한 원소의 정량analysis(분석)
(6) 시료 준비
(3) 기존 장비와의 비교
1. X-선 회절의 조건은?
(1) ICP-MS란?
4. FTIR (Fourier transform infrared spectroscopy)
(3)XRD 시스템
레포트 > 공학,기술계열
(1) EDS 개요
10. XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy)
(4) 화학적 이동 (Chemical shift)
3. 미분곡선을 이용하는 이점
2. Direction of Diffracted Beam
순서
(2)Bragg’s Law
(7) 장점(長點)과 단점
4. 색인서(Index book)
3. DTA (Differential Temperature Analyzer)
2. X-ray의 발생
1. 분말X선회절법에 의한 동정법의 특징
9. AAS (atomic absorption spectroscopy)
(4) 측정(測定) 방법
(2) 결과 analysis(분석)
(5) analysis(분석) 방법
(5) 정량 analysis(분석) (Quantitative analysis)
7. XRF (X-Ray Flourescence Spectrometry)
재료의 조성 측정(measurement)방법
(3) DTA peak 해석
1. TG 곡선의 의미
1. XRD (X-ray Diffraction)
3. 분해反應속도 항수의 계산
(2) ESCA 장치의 주요 구조
2). Goniometer
(1) 장치 구성
1. X-ray란?
(1) 기본원리
(5) DTA의 특징
(1) X-선 형광이란
(2) FTIR의 特性
(4) 충전효율(charging effect)
(1) AAS원리
재료의 조성 측정(measurement)방법(XRD, TGA, DTA, FTIR, AES, EDS, XRF, ICP-MS, AAS, XPS)
1. XRD 구성
1) X-ray 발생장치(X-ray Generator)
Reference
1. 조성의 analysis(분석)
3. ICDD card
2. TGA (ThermoGravimetric Analysis)
(4)XRD 實驗방법
(3) 감도 및 검출 한계
(4) FTIR에서의 Sampling 기법
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(3) TG의 가중기법
설명
(3) FTIR의 구성
2. 열안정성
(5) 주요 적용 범위
2. TG 미분곡선
(1) 기본원리
재료의 조성 측정방법(XRD, TGA, DTA, FTIR, AES, EDS, XRF, ICP-MS, AAS, XPS) 여러가지 측정 방법에 대한 원리, 실험방법, 적용범위 재료의 조성 측정방법
다.
