[工學] 반도체test(실험) - 다이오드[DIODE] 온도 變化(변화)에 따른 특성
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작성일 22-12-27 20:31본문
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위 그림으로 다이오드의 곡선이 리니어함에 따라 다이오드소자 한 개만을 사용한 것을 알 수 있고 온도가 증가…(투비컨티뉴드 )
설명
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다.
위 그림은 온도가 0도에서 스타트하여 20도씩 증가하여 80도까지 올라가는 Linear Forward I-V 特性인데 온도가 증가함에 따라 더 낮은 Forward Voltage에서 상승곡선이 올라가는 것을 확인할 수 있다
2.1.2. Logarithm Forward Region I-V 特性
DIODE소자가 상온일 때의 Logarithm Forward Region에 대해 알아보겠다.
위 그림은 다이오드소자만을 따로 측정(測定) 했을 때의 측정(測定) 값이다.
2.1.3. 빛이 미치는 影響
다이오드소자를 온도계에 연결 후 뚜껑이 완전히 닫히지 않은 상태(빛 차단 전)과 호일로 감싼 상태(빛 차단 후)로 비교해 보았다.
DIODE의 비선형성을 이해하고 PSPICE용 파라미터 추출을 통해 實驗(실험)결과와 PSPICE 결과를 비교한다.
2. 實驗(실험) 결과
2.1. Si DIODE
Si DIODE의 온도 변화에 따른 I-V 特性과 각 온도에 따른 n, IS, RS값을 구해보고 Spice 시뮬을 통해 결과값과 비교해보자.
2.1.1. Linear Forward Region I-V 特性
DIODE의 온도 변화에 따른 Linear Forward Region에 대해 알아보겠다.
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실험과제/기타
순서
DIODE 온도 변화에 따른 特性
1. 實驗(실험) 목표(goal)
소자分析(분석)기를 이용하여 DIODE 온도 변화에 따른 전류-전압 特性을 측정(測定) 한다.
빛 차단 전엔 약 0.2V부터 노이즈가 생겨 그래프가 완만하게 떨어지는 곡선을 볼 수 있고 빛 차단 후엔 0.1V이하까지도 리니어한 직선을 볼 수 있다 위 측정(測定) 결과 다이오드소자가 빛에 影響을 받아 노이즈가 생김을 알 수 있다
2.1.4. DIODE 온도 변화에 따른 I-V 特性
DIODE의 온도 변화에 따른 Logarithm Forward Region에 대해 알아보겠다.