재료의 산화實驗
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작성일 23-01-16 16:19
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습식 및 건식산화 방법으로 산화막 성장. 성장률 상수, 성장률 곡선을 구하며 열산화 방법(Wet / Dry)에 따른 산화막 두께, 그리고 각 방법에 대해 웨이퍼…(생략(省略))
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1. 반도체공정에서 산화實驗(실험)을 하는 이유??
2. 반도체 공정에서 Si 기반 어느부분에서 산화를 쓰는가??
산화막을 형성하는 방법에는 두 가지가 있는데 건식산화와 습식산화가 있다아 먼저 건식산화는 Si wafer위에 Dry Oxidation (건식 산화) : Si (solid) + O2 (gas) → SiO2 (solid)에 의해서 산화막이 형성되는데 물을 증발시켜 수증기를 이용해 산화막을 성장시키는 방법으로 성장속도가 빨라 두꺼운 산화막 성장 등에 사용된다 습식산화는 습식산화 : Si + 2H2O → SiO2 + 2H2 이고 단시간에 두툼한 산화막이 필요하면 습식 산화막을 만들어 쓰게 되며 얇지만 빈틈없이 치밀한 산화막 (게이트 처럼)을 필요로 하면 건식 산화막을 만들어 쓴다.
다.
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재료의 산화실험에 관해 조사하고 정리한 리포트 입니다.
